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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。51311+￥46.506410+￥43.8380100+￥41.8558250+￥41.5508500+￥41.24581000+￥40.90282500+￥40.59785000+￥40.4072 -
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品类: IGBT晶体管描述: FGL60N100BNTD 管装39925+￥12.589250+￥12.0512200+￥11.7499500+￥11.67461000+￥11.59932500+￥11.51325000+￥11.45947500+￥11.4056 -
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品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules91361+￥74.232510+￥71.0050100+￥70.4241250+￥69.9722500+￥69.26221000+￥68.93942500+￥68.48765000+￥68.1003 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 370A 1150W To26484081+￥135.803510+￥132.260850+￥129.5447100+￥128.6000200+￥127.8915500+￥126.94681000+￥126.35632000+￥125.7659 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3Pin(3+Tab) TO-26475291+￥152.869510+￥148.881650+￥145.8242100+￥144.7608200+￥143.9632500+￥142.89981000+￥142.23512000+￥141.5705 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357000mW 3Pin(3+Tab) TO-26422041+￥81.857010+￥78.2980100+￥77.6574250+￥77.1591500+￥76.37611000+￥76.02022500+￥75.52205000+￥75.0949 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 350000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24753451+￥154.019510+￥150.001650+￥146.9212100+￥145.8498200+￥145.0462500+￥143.97481000+￥143.30512000+￥142.6355 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1200V 80A 455W To26439605+￥29.472350+￥28.2128200+￥27.5075500+￥27.33121000+￥27.15482500+￥26.95335000+￥26.82747500+￥26.7014 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 830000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24756971+￥244.996010+￥238.604850+￥233.7049100+￥232.0006200+￥230.7223500+￥229.01801000+￥227.95282000+￥226.8876
